刷新#
集中刷新（固定间隔全部刷新）、分散刷新（读取完刷新部分行）、异步刷新（每隔一段时间产生一个刷新请求）
读写周期#
构成#
逻辑构成
地址寄存器、地址译码器、读写控制电路、数据存储单元
读写控制信号：通过控制线接收 CPU 的控制指令
片选线：传输控制电路的片选信号，选择多个 rank 中的一个
地址寄存器存储地址线 MAR 中的行地址，通过行译码器，选中某一行。
随后再通过地址寄存器存储地址线 MAR 中的列地址部分，通过译码器，在选中行选择对应列。
缓存：读取部分行数据到 Buffer 中，如果行命中可以直接从 buffer 中读取。
层次#
Column，Row，Bank
Chip：一个 rank 中包括多个 chip，给出一个地址，从中读取这个内容由多个 chip 共同组成
Rank：包括多个 Chip，片选线用于选中某个 rank
DIMM：Dual In-line Memory Module
Channel：多个通道，DDR5 中一个 DIMM 可以划分为两个通道，之前则是一个通道包含多个 DIMM
多模块编址#
单体多字存储器：一个存储器，每个存储单元存储 m 个字，总线宽度也为 m 个字，一次并行读出 m 个字，地址顺序排列，位于同一个存储单元。一个存取周期内，读取 m 条指令，逐条发送至 CPU，每个指令 1/m 周期。但是这种在遇到转移指令时，效果不明显。
多体并行存储器：多个存储器（DIMM），共同编址，构成一个整体，分为高位交叉和低位交叉。
高位交叉即高位表示体号，则同一个 DIMM 内编址连续，这是简单的容量拓展。
低位交叉即低位表示体号，同一个 DIMM 内编址不连续，可以通过切换，使一部分恢复时间并行，缩短宏观上存取周期。
容量拓展#
位拓展法：多个 chip 组成一个 rank，每个 chip 提供 8 bit，8 个 chip 共同提供 64 bit
字拓展法：增加多个 rank，通过片选信号选择
字位拓展法：多个 chip 组成一个 rank，同时多个 rank 组成 DIMM
地址分配，片选#
线选法：多个 rank 共享地址线的高位，当 rank 对应的线选信号为 0 时选中 (1110,1101,1011,0111)。简单有效，但是地址空间不连续。
译码片选法：用除高位地址线，通过地址译码器产生片选信号。（00,10,11,01），相对复杂但是地址空间有效利用。
与 CPU 连接#
与 CPU 使用专用内存总线，而不是通用系统总线。
地址线：CPU 地址线给出整个地址，但是只有一部分连接到地址线，进行字选，选择芯片中的某一个存储单元。
片选线：CPU 地址线的高位用于片选，与片选线连接。
读 / 写控制线：CPU 直接与存储芯片的读写控制端相连，一般高电平读低电平写。部分 CPU 读写线分开。
数据线：多个 chip 并入数据线。